WT5113宽输出范围非隔离交直流转换芯片,集成PFM控制器及650V高雪崩能
08月26日 06:22
WT5113宽输出范围非隔离交直流转换芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率6W,输出500mA非隔离开关电源。
(相关资料图)
WT5113内置650V高压启动电路,实现系统快速启动、低功耗待机功能。具有软启动功能,能够减小器件的应力,防止变压器饱和。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护,另外WT5113的降频调制技术有助于改善EMI特性。采用DIP-7封装。
特性 :
*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
*内置高压启动
*优化适用于12V-18V输出非隔离应用
*功率6W输出500mA
*降频
*软启动
*优异的负载调整率和工作效率
*保护功能
优异保护功能
过流保护(OCP)
过温保护(OTP)
欠压保护(UVLO)
应用:
*非隔离辅助电源*小家电
关键词:
WT5113宽输出范围非隔离交直流转换芯片,集成PFM控制器及650V高雪崩能
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